Результаты поиска: BSC028N06NS в MOSFET
Запрос на ценовое предложение (RFQ)  »

Выбeрите позицию, чтобы получить ценовое предложение по номеру детaли BSC028N06NS или используйте раздел «Варианты поиска по номеру детали» внизу этой страницы.
Если Вы еще не партнер The Broker Forum, получите свой бесплатный доступ для установления связи с BSC028N06NS продавцами.

MOSFET

The metal"oxide"semiconductor field-effect transistor (MOSFET,MOS-FET,or MOS FET) is a type of transistor used for amplifying or switching electronic signals. Although the MOSFET is a four-terminal device with source (S),gate (G),drain (D),and body (B) terminals,the body (or substrate) of the MOSFET is often connected to the source terminal, making it a three-terminal device like other field-effect transistors. Because these two terminals are normally connected to each other (short-circuited) internally, only three terminals appear in electrical diagrams. The MOSFET is by far the most common transistor in both digital and analog circuits, though the bipolar junction transistor was at one time much more common. The main advantage of a MOSFET transistor over a regular transistor is that it requires very little current to turn on (less than 1mA), while delivering a much higher current to a load (10 to 50A or more). However, the MOSFET requires a higher gate voltage (3-4V) to turn on. In enhancement mode MOSFETs, a voltage drop across the oxide induces a conducting channel between the source and drain contacts via the field effect. The term "enhancement mode" refers to the increase of conductivity with increase in oxide field that adds carriers to the channel, also referred to as the inversion layer. The channel can contain electrons (called an nMOSFET or nMOS), or holes (called a pMOSFET or pMOS), opposite in type to the substrate, so nMOS is made with a p-type substrate, and pMOS with an n-type substrate (see article on semiconductor devices). In the less common depletion mode MOSFET, detailed later on, the channel consists of carriers in a surface impurity layer of opposite type to the substrate, and conductivity is decreased by application of a field that depletes carriers from this surface layer. The "metal" in the name MOSFET is now often a misnomer because the previously metal gate material is now often a layer of polysilicon (polycrystalline silicon).

Transistor > MOSFET

Наименование детали	DS	Производитель	Дата выпуска	Кол-во	Регион	Активный
BSC028N06NS		Infineon	2022+	5000	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	2019+	50000	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	-	67008	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	-	520000	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	2021+	5000	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	2020+	66000	Hong Kong	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	201442	18	U.S.A.	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	-	2174	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	201607+	28	Poland	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	2019+	3054	Poland	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	2020+	38750	Poland	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	2022+	5000	South Korea	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	2022+	1008000	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	-	3650	Taiwan	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	-	20000	India	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	-	2524	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	2022+	10000	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	2022+	26804	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	2022+	15000	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	202205+	12500	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	2019+	72591	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	2019+	500000	Hong Kong	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	-	187	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	-	5000	China	Связаться с продавцом
BSC028N06NS		Infineon	2020	1500	China	Связаться с продавцом

1 2 3 4 5 Следующая

Отправьте запрос на искомый компонент BSC028N06NS   »