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FET Transistors

The field-effect transistor (FET) is a transistor that uses an electric field to control the shape and hence the conductivity of a channel of one type of charge carrier in a semiconductor material. FETs are unipolar transistors as they involve single-carrier-type operation. The concept of the FET predates the bipolar junction transistor (BJT), though it was not physically implemented until after BJTs due to the limitations of semiconductor materials and the relative ease of manufacturing BJTs compared to FETs at the time.

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型号	DS	厂牌	批号	数量	地区	采购
SPA11N60C3		Infineon	202326+	6785	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	-	1741	香港	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	201546+	500	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	-	1200	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2021+	10000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2021+	10000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2022+	2000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2022+	15860	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2022+	7500	香港	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	1937+	14000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	-	5000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	1923	381	日本	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2021+	34530	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2023+	11859	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2021+	8800	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	-	430	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2001	20	法国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	-	21487	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2022+	18000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	200849	200	波兰	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2021+	141468	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2022+	990000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	-	2000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2022+	13000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	200825+	67	中国	要求报价

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