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MOSFET

The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a type of transistor used for amplifying or switching electronic signals. Although the MOSFET is a four-terminal device with source (S), gate (G), drain (D), and body (B) terminals, the body (or substrate) of the MOSFET is often connected to the source terminal, making it a three-terminal device like other field-effect transistors. Because these two terminals are normally connected to each other (short-circuited) internally, only three terminals appear in electrical diagrams. The MOSFET is by far the most common transistor in both digital and analog circuits, though the bipolar junction transistor was at one time much more common.

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型号	DS	厂牌	批号	数量	地区	采购
SPA11N60C3		Infineon	202326+	6785	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	-	1741	香港	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	201546+	500	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	-	1200	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2021+	10000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2021+	10000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2022+	2000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2022+	15860	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2022+	7500	香港	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	1937+	14000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	-	5000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	1923	381	日本	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2021+	34530	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2023+	11859	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2021+	8800	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	-	430	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2001	20	法国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	-	21487	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2022+	18000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	200849	200	波兰	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2021+	141468	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2022+	990000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	-	2000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	2022+	13000	中国	要求报价
SPA11N60C3		Infineon	200825+	67	中国	要求报价

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